Происхождение товара
Jiangsu, China
Тип Поставщика
Розничная торговля, Оптовая продажа женское бельё, От оригинального производителя, Агентства
Доступные методы
Фото, EDA/CAD модели, Техническое описание
Коллектор тока (Ic) (макс)
Нуль
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
Нуль
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
Нуль
Отсек коллектора тока (макс.)
Нуль
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
Нуль
Способ Монтажа
Сквозное отверстие
Резистор-основание (R1)
Нуль
Основание резистора-излучателя (R2)
Нуль
Полевых транзисторов типа
Нуль
Полевого транзистора характеристика
Стандарт
Слив в исходное напряжение (Vdss)
Нуль
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
Нуль
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Нуль
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Нуль
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
Нуль
Номинальный ток (Ампер)
Нуль
Power-выходная мощность
Нуль
Напряжение-номинальное
Нуль
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
Нуль
Конфигурация
Трехуровневый инвертор-IGBT, FET
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Нуль
Входная емкость (Cies) @ Vce
Нуль
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
Нуль
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Нуль
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
Нуль
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
Нуль
Смещение напряжения (Vt)
Нуль
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
Нуль
В настоящее время-Peak
Нуль
Название продукта
ИГБТ 1200 В 50А
Применение:
Электромагнитная печь
Использование
Электронные компоненты
Состояние:
Новый и неиспользованный, оригинальный герметичный
Гарантия качества:
365 дней
Место происхождения:
Цзянсу, Китай (материк)
