All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

60T120 IGW60T120FKSA1 IGBT Transistor Single 100A 1200V 375W DIP PG-TO247-3-1 IGW60T120 FGY60T120SQDN

Пока нет отзывов
ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd Поставщик с собственным брендом 15 yrs CN
60T120 IGW60T120FKSA1 IGBT Transistor Single 100A 1200V 375W DIP PG-TO247-3-1 IGW60T120 FGY60T120SQDN
60T120 IGW60T120FKSA1 IGBT Transistor Single 100A 1200V 375W DIP PG-TO247-3-1 IGW60T120 FGY60T120SQDN
60T120 IGW60T120FKSA1 IGBT Transistor Single 100A 1200V 375W DIP PG-TO247-3-1 IGW60T120 FGY60T120SQDN
60T120 IGW60T120FKSA1 IGBT Transistor Single 100A 1200V 375W DIP PG-TO247-3-1 IGW60T120 FGY60T120SQDN
60T120 IGW60T120FKSA1 IGBT Transistor Single 100A 1200V 375W DIP PG-TO247-3-1 IGW60T120 FGY60T120SQDN
60T120 IGW60T120FKSA1 IGBT Transistor Single 100A 1200V 375W DIP PG-TO247-3-1 IGW60T120 FGY60T120SQDN

Основные характеристики

Базовая отраслевая спецификация

Модели
IGW60T120FKSA1
Тип
IGBT транзистор
Наименование
original
Тип упаковки
Сквозное отверстие

Другие характеристики

Тип крепления
Through Hole
Описание
-
Происхождение товара
original
Тип корпуса
TO-247-3
Тип
Transistor
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Серия
IGBT 1200V 60A UFS
d/c
new
Применение
-
品名
FGY60T120SQDN
Коллектор тока (Ic) (макс)
-
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
-
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
-
Отсек коллектора тока (макс.)
-
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
-
Мощность макс
-
Частота-Переход
-
Рабочая Температура
-
Способ Монтажа
Сквозное отверстие
Резистор-основание (R1)
-
Основание резистора-излучателя (R2)
-
Полевых транзисторов типа
-
Полевого транзистора характеристика
-
Слив в исходное напряжение (Vdss)
-
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
-
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
-
Частота
-
Номинальный ток (Ампер)
-
Коэффициент шума
-
Power-выходная мощность
-
Напряжение-номинальное
-
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
-
Vgs (макс)
-
Доступны IGBT
-
Конфигурация
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Входная емкость (Cies) @ Vce
-
Входной сигнал
-
NTC термистор
-
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
-
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Ток слива (Id)-макс
-
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
-
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
-
Напряжение
-
Напряжение-выход
-
Смещение напряжения (Vt)
-
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
-
Ток-долина (Iv)
-
В настоящее время-Peak
-
Применения
-
Транзистор типа
-
Brand
Original
Stocking time
3-5day
delivery address
shenzhen

Срок выполнения заказа

Изготовление на заказ

Описание товара от поставщика

>= 10 шт.
1,12 ₽

Варианты

Всего вариантов:
Выбрать сейчас

Транспортировка

Транспортные решения для выбранного количества в настоящее время недоступны

Защита для этого товара

Безопасные платежи

Каждый ваш платеж на Chovm.com защищен с помощью надежного SSL-шифрования и протоколов защиты данных PCI DSS

Политика возврата средств и Easy Return

Подайте заявку на возврат средств, если ваш заказ не был отправлен, утерян или были выявлены проблемы с поступившим товаром. Кроме того, для дефектных товаров доступен бесплатный местный возврат

Отправить сообщение
Начать чат
обследования