(12 шт. продукции доступно)
С момента выхода DDR3 память Samsung DDR3 стала ключевым компонентом высокопроизводительных вычислений. DDR3 выпускается в различных типах, каждый из которых адаптирован для конкретных вычислительных потребностей.
Зарегистрированная DDR3 (RDIMMs)
Этот модуль памяти включает в себя регистр, небольшой триггерный контур. Регистр помогает стабилизировать сигнал на модуле памяти, повышая стабильность системы при использовании нескольких модулей памяти. Зарегистрированная память DDR3 в основном используется в серверных материнских платах, поскольку она повышает стабильность сервера и снижает задержку.
Небуферизованная DDR3 (UDIMMs)
Эта небуферизованная память DDR3 не имеет регистра, который имеется в зарегистрированной памяти DDR3. Отсутствие регистра позволяет небуферизованной DDR3 работать быстрее, чем ее зарегистрированному аналогу. Однако она может использоваться только на материнских платах с максимальным количеством 4 слотов RAM. Небуферизованная память DDR3 является лучшим вариантом для ноутбуков и настольных ПК.
Память DDR3 с двойным напряжением
Этот вариант может работать на двух уровнях напряжения: 1,5 или 1,35 В. Использование 1,35 В делает память DDR3 с двойным напряжением менее энергозатратной, что делает ее отличным выбором для экономных пользователей. В то же время эта память DDR3 может работать лучше в ноутбуках и настольных ПК, используя свой уровень напряжения 1,5 В.
Память DDR3 с низким напряжением
Как правило, модули памяти DDR3 для работы используют 1,5 В. Однако память DDR3 с низким напряжением работает всего на 1,35 В. Низкое напряжение снижает потребление энергии и тепловыделение в компьютере. Память DDR3 с низким напряжением является хорошим выбором для портативных ПК, ноутбуков и ультрабуков, где мощность батареи и рассеивание тепла являются важными проблемами.
Память DDR3 с четностью
Память DDR3 с четностью имеет функцию проверки ошибок, которая помогает обнаруживать, но не исправлять ошибки памяти. Этот тип памяти в основном используется в критически важных рабочих средах, таких как финансовые учреждения и больницы, где точность и целостность данных имеют решающее значение. Память DDR3 с четностью позволяет легко идентифицировать и исправлять ошибки, помогая сохранять конфиденциальные данные безопасными и точными.
Напряжение и питание:
Напряжение питания для модулей памяти DDR3 обычно составляет менее 1,5 вольт, что помогает снизить энергопотребление. DDR3 может, однако, работать при более высоком напряжении, но будет потреблять не более 1,5 вольт от источника питания. Это позволяет достичь более высоких скоростей передачи данных при одновременном снижении потребляемой мощности.
Буферизованная и небуферизованная:
Небуферизованные модули памяти позволяют DRAM на модуле напрямую взаимодействовать с контроллером памяти на материнской плате. Сигнал обрабатывается таким образом, что значительно снижается вероятность ошибки. Буферизованная память, с другой стороны, повышает стабильность данных памяти, что повышает ее производительность. Буферизованные модули добавляют дополнительный чип, который хранит сигналы команд перед их отправкой в банки памяти.
Модуль памяти с двойной линией контактов:
DIMM — это тип энергозависимой оперативной памяти (RAM), которая временно хранит данные. Скорость передачи данных по обеим сторонам модуля позволяет ему одновременно отправлять и получать данные.
Настройка XT:
Настройка XT — это улучшенная технология турбонаддува, встроенная в память Intel DDR3. Это динамический разгон памяти, который обеспечивает стабильную, оптимизированную производительность памяти.
Скорость, пропускная способность и емкость:
Объем данных, который память может обрабатывать за определенное время, называется пропускной способностью. Память Samsung DDR3 выпускается с различной емкостью от 2 ГБ до 32 ГБ. Емкость определяет, сколько места для хранения доступно на компьютере. Более высокая емкость позволит компьютеру запускать несколько приложений одновременно, не влияя на производительность. DDR3 работает на минимальной тактовой частоте 400 МГц и максимальной 1066 МГц. Это соответствует скорости передачи данных от 12,8 ГБ/с до 21,3 ГБ/с.
Задержки:
Задержка отвечает за определение того, насколько быстро команды могут быть отправлены в модуль и выполнены. DDR3 улучшил время задержки, которое предлагала DDR2. Более низкие задержки обеспечивают улучшенную производительность системы.
Ранг:
Ранг — это количество наборов модулей памяти, к которым система может обращаться. Это показатель того, к скольким микросхемам памяти можно получить доступ одновременно. Одноранговая DDR3 имеет микросхемы на одной стороне модуля, а двухранговая DDR3 — на обеих сторонах.
Области применения памяти DDR3 RAM разнообразны. От простых до более продвинутых, существует бесчисленное количество способов использования памяти DDR3. Samsung продавала память DDR3 RAM с радиаторами и без. Типы без радиаторов часто называют небуферизованной памятью. DDR3 может использоваться в следующих областях:
Перед покупкой памяти DDR3 RAM покупатели должны учитывать несколько моментов, чтобы убедиться, что они выбирают наиболее подходящие модули памяти для своих потребностей.
Вопрос 1: Что означает DDR в компьютерной памяти?
Ответ 1: DDR означает Double Data Rate (двойная скорость передачи данных). Это технология, которая позволяет передавать данные вдвое быстрее с каждым тактом.
Вопрос 2: Является ли DDR3 улучшением по сравнению с DDR2?
Ответ 2: DDR3 намного лучше, чем DDR2. Она потребляет меньше энергии. Задержка также лучше, то есть время, затрачиваемое на доступ к данным, короче.
Вопрос 3: Может ли DDR2 работать с материнской платой DDR3?
Ответ 3: Нет. Модули памяти DDR2 и DDR3 несовместимы. Только DDR3 может работать на материнской плате DDR3.
Вопрос 4: Сколько модулей DDR3 можно установить?
Ответ 4: Максимальное количество модулей DDR3 зависит от материнской платы. Однако материнские платы обычно имеют два или четыре слота.